casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23C6V8-G3-18
codice articolo del costruttore | AZ23C6V8-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-AZ23C6V8-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AZ23C6V8-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C6V8-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23C6V8-G3-18-FT |
AZ23C2V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1S25B672C6
Intel
10M25DCF484C8G
Intel
EP2C35U484C8N
Intel
EP20K30EFI144-2XN
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA9K3H40C3N
Intel
5SGXMA7H1F35C2N
Intel
LFXP3E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation