casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23C10-HE3-18
codice articolo del costruttore | AZ23C10-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-AZ23C10-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C10-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C10-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23C10-HE3-18-FT |
AZ23B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P600-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050-1VF400I
Microsemi Corporation
A40MX02-1PL68I
Microsemi Corporation
AT40K20-2DQC
Microchip Technology
EP2C5F256C7
Intel
XC5VLX30-2FFG324C
Xilinx Inc.
AGLP030V5-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1N
Intel
EPF10K130EQC240-3
Intel