casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23C10-HE3-08
codice articolo del costruttore | AZ23C10-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-AZ23C10-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C10-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C10-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23C10-HE3-08-FT |
AZ23B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I7
Intel
5SGSMD3H2F35I3N
Intel