casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Array / AZ23B33-HE3-18
codice articolo del costruttore | AZ23B33-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AZ23B33-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B33-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione | 1 Pair Common Anode |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 25V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B33-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AZ23B33-HE3-18-FT |
MMBZ27VDA-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C18-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C6V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XCV150-4FG456C
Xilinx Inc.
5SGXEA4H2F35I3LN
Intel
XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel
EP4SGX180HF35I3N
Intel