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codice articolo del costruttore | AVS108M10G24B-F |
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Numero di parte futuro | FT-AVS108M10G24B-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | AVS |
AVS108M10G24B-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacità | 1000µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 10V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 400 mOhm @ 120Hz |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | AEC-Q200 |
applicazioni | Automotive, Bypass, Decoupling |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 580mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 986mA @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" Dia (10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.402" (10.20mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | 0.406" L x 0.406" W (10.30mm x 10.30mm) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AVS108M10G24B-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AVS108M10G24B-F-FT |
AVS106M50C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS107M04C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS107M10C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS226M16C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS226M25C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS226M35C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS336M10C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS336M16C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS336M25C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
AVS475M50C12T-F
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
XA6SLX75-2CSG484Q
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FG484C
Xilinx Inc.
A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP3SL70F780C4L
Intel
5SGSMD4H3F35C4N
Intel