casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRLR3410TR
codice articolo del costruttore | AUIRLR3410TR |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRLR3410TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRLR3410TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLR3410TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRLR3410TR-FT |
FQD7N20LTM
ON Semiconductor
FQD7N30TM
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FQD8P10TM
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FQD9N25TM-F080
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HUF75329D3ST
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HUF76609D3ST
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2SJ377(TE16R1,NQ)
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2SJ610(TE16L1,NQ)
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2SJ687-ZK-E1-AY
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XCVU080-2FFVD1517E
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AGL030V2-CSG81
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MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation