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Infineon Technologies AUIRL2203N

Name: AUIRL2203N
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRL2203N
Availability: InStock
Rating: 4.8 (571 reviews)

Numero parte MFG: AUIRL2203N

quantità disponibile: 33740 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: AUIRL2203N.pdf

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AUIRL2203N specificazioni

codice articolo del costruttore	AUIRL2203N
Numero di parte futuro	FT-AUIRL2203N
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRL2203N Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3290pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRL2203N Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	AUIRL2203N-FT

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