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Infineon Technologies AUIRL2203N

Numero parte MFG
AUIRL2203N
quantità disponibile
33740 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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AUIRL2203N specificazioni

codice articolo del costruttore AUIRL2203N
Numero di parte futuro FT-AUIRL2203N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRL2203N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3290pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRL2203N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AUIRL2203N-FT

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