casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFR8403
codice articolo del costruttore | AUIRFR8403 |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFR8403 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFR8403 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 76A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3171pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 99W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFR8403 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFR8403-FT |
FDD5N50NZFTM
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FDD8444
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LFXP2-40E-6F484I
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