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Infineon Technologies AUIRFR4105

Name: AUIRFR4105
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRFR4105
Availability: InStock
Rating: 4.8 (311 reviews)

Numero parte MFG: AUIRFR4105

quantità disponibile: 24070 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: AUIRFR4105.pdf

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AUIRFR4105 specificazioni

codice articolo del costruttore	AUIRFR4105
Numero di parte futuro	FT-AUIRFR4105
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRFR4105 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	68W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D-Pak
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFR4105 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	AUIRFR4105-FT

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