casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF2907ZS7PTL
codice articolo del costruttore | AUIRF2907ZS7PTL |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF2907ZS7PTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF2907ZS7PTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7580pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF2907ZS7PTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF2907ZS7PTL-FT |
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
PMN25ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN25UN,115
NXP USA Inc.
PMN27UN,135
NXP USA Inc.
PMN27UP,115
Nexperia USA Inc.
PMN27UPH
Nexperia USA Inc.
PMN27XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN27XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN28UN,135
Nexperia USA Inc.
PMN28UN,165
NXP USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel