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codice articolo del costruttore | ATSAMDA1G14B-ABT |
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Numero di parte futuro | FT-ATSAMDA1G14B-ABT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SAM DA1 |
ATSAMDA1G14B-ABT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | ARM® Cortex®-M0+ |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 48MHz |
Connettività | I²C, SCI, SPI, UART/USART, USB |
periferiche | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 38 |
Dimensione della memoria del programma | 16KB (16K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 4K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 3.63V |
Convertitori di dati | A/D 14x12b; D/A 1x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TQFP |
48-TQFP (7x7) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATSAMDA1G14B-ABT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ATSAMDA1G14B-ABT-FT |
DF2265TE13V
Renesas Electronics America
DF2266TF20V
Renesas Electronics America
DF2268TE13V
Renesas Electronics America
DF2268TE20V
Renesas Electronics America
DF2268TF20V
Renesas Electronics America
DF2317VTE25V
Renesas Electronics America
DF2317VTF25V
Renesas Electronics America
DF2318VTE25IV
Renesas Electronics America
DF2319VTE25V
Renesas Electronics America
DF3026X25V
Renesas Electronics America
XC6SLX45T-3CSG484C
Xilinx Inc.
AFS1500-FGG484K
Microsemi Corporation
M2GL005S-1FG484I
Microsemi Corporation
APA450-BG456
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE6F17A7N
Intel
5SGXEA5N3F40C3N
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5SGXEA7N2F40I2LN
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EP3SL340F1517C3N
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10AX057K4F40E3SG
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