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codice articolo del costruttore | ATSAMD21G16B-AFT |
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Numero di parte futuro | FT-ATSAMD21G16B-AFT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SAM D21G |
ATSAMD21G16B-AFT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | ARM® Cortex®-M0+ |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 48MHz |
Connettività | I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB |
periferiche | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 38 |
Dimensione della memoria del programma | 64KB (64K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 8K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 1.62V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 14x12b; D/A 1x10b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TQFP |
48-TQFP (7x7) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATSAMD21G16B-AFT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ATSAMD21G16B-AFT-FT |
DF2268TE20V
Renesas Electronics America
DF2268TF20V
Renesas Electronics America
DF2317VTE25V
Renesas Electronics America
DF2317VTF25V
Renesas Electronics America
DF2318VTE25IV
Renesas Electronics America
DF2319VTE25V
Renesas Electronics America
DF3026X25V
Renesas Electronics America
DF3026XBL25V
Renesas Electronics America
DF3048BVX25V
Renesas Electronics America
DF3048BVX25WV
Renesas Electronics America
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEABN3F45I3LN
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
EP2SGX60EF1152C3
Intel
A42MX24-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation