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codice articolo del costruttore | ATS665LSGTN-T |
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Numero di parte futuro | FT-ATS665LSGTN-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ATS665LSGTN-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Funzione | Special Purpose |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarizzazione | South Pole |
Gamma di rilevamento | 70% Trip, 30% Release |
Condizione di test | 25°C |
Tensione - Fornitura | 3.3V ~ 24V |
Corrente - Alimentazione (max) | 14mA |
Corrente - Uscita (max) | 20mA |
Tipo di uscita | Open Drain |
Caratteristiche | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacchetto / caso | 4-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS665LSGTN-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ATS665LSGTN-T-FT |
AH3563Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3564Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3562Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3582-P-B
Diodes Incorporated
AH3574-P-B
Diodes Incorporated
AH3572-P-B
Diodes Incorporated
AH3373-PG-A
Diodes Incorporated
AH3373-PG-B
Diodes Incorporated
AH3376-PG-A
Diodes Incorporated
AH3376-PG-B
Diodes Incorporated
A3PN125-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2
Intel
EP2S30F672I4N
Intel
5SGXEA5H3F35I3L
Intel
XA6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP3CLS150F780C7N
Intel