casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AT25640AY6-10YH-1.8
codice articolo del costruttore | AT25640AY6-10YH-1.8 |
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Numero di parte futuro | FT-AT25640AY6-10YH-1.8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT25640AY6-10YH-1.8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-UFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Mini Map (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25640AY6-10YH-1.8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT25640AY6-10YH-1.8-FT |
IDT71V65802ZS133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation