casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AT25128N1-10SI-1.8
codice articolo del costruttore | AT25128N1-10SI-1.8 |
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Numero di parte futuro | FT-AT25128N1-10SI-1.8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT25128N1-10SI-1.8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | 2.1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25128N1-10SI-1.8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT25128N1-10SI-1.8-FT |
IDT6116LA45TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116LA45TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA15TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA20TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA25TPI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TP
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT6116SA35TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation