casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AT25080BY6-YH-T
codice articolo del costruttore | AT25080BY6-YH-T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AT25080BY6-YH-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT25080BY6-YH-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-UFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Mini Map (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25080BY6-YH-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT25080BY6-YH-T-FT |
IDT71V65802S150BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S150BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S150BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802ZS133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802ZS133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S133BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V67602S150BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel