casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AT24C08BY6-YH-T
codice articolo del costruttore | AT24C08BY6-YH-T |
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Numero di parte futuro | FT-AT24C08BY6-YH-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT24C08BY6-YH-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 550ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-UFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Mini Map (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT24C08BY6-YH-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT24C08BY6-YH-T-FT |
IDT71V65602S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65602S133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65602S133BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65602S150BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65602S150BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65602ZS133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65602ZS133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V65802S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc