casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS8C801801-QC150N
codice articolo del costruttore | AS8C801801-QC150N |
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Numero di parte futuro | FT-AS8C801801-QC150N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS8C801801-QC150N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Frequenza di clock | 150MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 6.7ns |
Tempo di accesso | 3.8ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 100-LQFP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 100-TQFP (14x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS8C801801-QC150N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS8C801801-QC150N-FT |
70V9389L12PRF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L6PRF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L6PRF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L7PRF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L7PRF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L7PRFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L7PRFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L9PRF
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L9PRF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9389L9PRFI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel