casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS7C256A-20TIN
codice articolo del costruttore | AS7C256A-20TIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS7C256A-20TIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS7C256A-20TIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C256A-20TIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS7C256A-20TIN-FT |
AT49F001NT-90PC
Microchip Technology
AT49F001NT-90PI
Microchip Technology
AT49F001T-12PC
Microchip Technology
AT49F001T-12PI
Microchip Technology
AT49F001T-55PC
Microchip Technology
AT49F001T-55PI
Microchip Technology
AT49F001T-70PC
Microchip Technology
AT49F001T-70PI
Microchip Technology
AT49F001T-90PC
Microchip Technology
AT49F001T-90PI
Microchip Technology
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
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XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
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AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
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Intel