casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C8008-55BINTR
codice articolo del costruttore | AS6C8008-55BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C8008-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8008-55BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8008-55BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C8008-55BINTR-FT |
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
Microchip Technology
AT45DB041B-SI-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SU
Microchip Technology
AT45DB161D-SU
Microchip Technology
AT45DB321D-SU-2.5
Microchip Technology
AT93C56AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
MT41J128M8JP-107:G
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel