casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C4008-55TINTR
codice articolo del costruttore | AS6C4008-55TINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C4008-55TINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C4008-55TINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4008-55TINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C4008-55TINTR-FT |
S25FS512SDSBHA213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSDPBHVC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FS01GSAGBHI210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGBHI023
Cypress Semiconductor Corp
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel