casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C1616-55BINTR
codice articolo del costruttore | AS6C1616-55BINTR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AS6C1616-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C1616-55BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1616-55BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C1616-55BINTR-FT |
AT26DF321-SU
Microchip Technology
AT45D011-SC
Microchip Technology
AT45D011-SI
Microchip Technology
AT45DB011-SC
Microchip Technology
AT45DB011-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SC
Microchip Technology
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
Microchip Technology
AT45DB021B-SI
Microchip Technology
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel