casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C8M16SA-6TCN
codice articolo del costruttore | AS4C8M16SA-6TCN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C8M16SA-6TCN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C8M16SA-6TCN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Dimensione della memoria | 128Mb (8M x 16) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M16SA-6TCN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C8M16SA-6TCN-FT |
AS4C2M32S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel