casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M8D3L-12BCN
codice articolo del costruttore | AS4C64M8D3L-12BCN |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AS4C64M8D3L-12BCN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M8D3L-12BCN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D3L-12BCN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M8D3L-12BCN-FT |
AS4C1M16S-6TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1M16S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS1C4M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C8M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-45BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TIN
Alliance Memory, Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel