casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M32MD2A-25BIN
codice articolo del costruttore | AS4C64M32MD2A-25BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C64M32MD2A-25BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M32MD2A-25BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-FBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M32MD2A-25BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M32MD2A-25BIN-FT |
AS7C31026B-10JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-15JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-12JIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel