casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M16MD1-6BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C64M16MD1-6BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C64M16MD1-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16MD1-6BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M16MD1-6BINTR-FT |
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-15
Winbond Electronics
W631GU8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB12I
Winbond Electronics
W631GU8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB15I
Winbond Electronics
W631GU8KB15I TR
Winbond Electronics
W632GU8KB-12
Winbond Electronics
W632GU8KB-12 TR
Winbond Electronics
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel