casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M16MD1-6BCNTR
codice articolo del costruttore | AS4C64M16MD1-6BCNTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C64M16MD1-6BCNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16MD1-6BCNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-6BCNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M16MD1-6BCNTR-FT |
W631GG8KB15I
Winbond Electronics
W631GG8KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-12
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W631GU8KB-15
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Winbond Electronics
W631GU8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB15I
Winbond Electronics
W631GU8KB15I TR
Winbond Electronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel