casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C512M16D3L-12BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C512M16D3L-12BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C512M16D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M16D3L-12BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 13.75ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (14x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M16D3L-12BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C512M16D3L-12BINTR-FT |
AT49LV001NT-90PC
Microchip Technology
AT49LV001NT-90PI
Microchip Technology
AT49LV001T-90PC
Microchip Technology
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Microchip Technology
AT49LV002-12PC
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AT49LV002-12PI
Microchip Technology
AT49LV002-90PC
Microchip Technology
AT49LV002-90PI
Microchip Technology
AT49LV002N-12PC
Microchip Technology
AT49LV002N-12PI
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XCS20-3TQ144I
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XC3SD3400A-4CS484C
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XC4VLX60-10FFG668C
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LFE2M50E-7F672C
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LFE2-20SE-5FN484C
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5AGXMA1D4F31I3N
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EPF10K50VRI240-3
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