casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C32M16SA-7BIN
codice articolo del costruttore | AS4C32M16SA-7BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C32M16SA-7BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C32M16SA-7BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 143MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 2ns |
Tempo di accesso | 5.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-FBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16SA-7BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C32M16SA-7BIN-FT |
AS4C2M32SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32SA-6TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32SA-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32SA-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6TIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7TCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32SA-6TCN
Alliance Memory, Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation