casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C256M32MD2-18BCNTR
codice articolo del costruttore | AS4C256M32MD2-18BCNTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C256M32MD2-18BCNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M32MD2-18BCNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.2V, 1.8V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-FBGA (11.5x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M32MD2-18BCNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C256M32MD2-18BCNTR-FT |
93LC46C-I/S15K
Microchip Technology
93LC46C-I/W15K
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93LC46C-I/WF15K
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93LC56C-I/S15K
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93LC56C-I/W15K
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93LC56C-I/WF15K
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93LC56C/S15K
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XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
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5CEBA4F17C6N
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EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
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LCMXO1200E-3B256C
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Lattice Semiconductor Corporation
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