casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C256M16D3LB-12BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C256M16D3LB-12BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C256M16D3LB-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M16D3LB-12BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (13.5x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3LB-12BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C256M16D3LB-12BINTR-FT |
AT49F040A-55PI
Microchip Technology
AT49F040A-70PI
Microchip Technology
AT49F512-70PC
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AT49F512-70PI
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AT49F512-90PC
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AT49F512-90PI
Microchip Technology
AT49LV001NT-90PC
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AT49LV001NT-90PI
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AT49LV001T-90PC
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AT49LV001T-90PI
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel