casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C16M16SA-6BIN
codice articolo del costruttore | AS4C16M16SA-6BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C16M16SA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M16SA-6BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-TFBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16SA-6BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C16M16SA-6BIN-FT |
AS7C38096A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1016-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C1608-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C1616-55BIN
Alliance Memory, Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel