casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M8D2A-25BCNTR
codice articolo del costruttore | AS4C128M8D2A-25BCNTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M8D2A-25BCNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D2A-25BCNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D2A-25BCNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M8D2A-25BCNTR-FT |
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel