casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3BGHM3_A/I
codice articolo del costruttore | AS3BGHM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-AS3BGHM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AS3BGHM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3BGHM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3BGHM3_A/I-FT |
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
240NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
241NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
241NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
241NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel