casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS1C1M16PL-70BIN
codice articolo del costruttore | AS1C1M16PL-70BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS1C1M16PL-70BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
AS1C1M16PL-70BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x7) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C1M16PL-70BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS1C1M16PL-70BIN-FT |
AT25256AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SI
Microchip Technology
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25DF161-SH-B
Microchip Technology
AT25DQ161-SH-T
Microchip Technology
AT25HP256W-10SC-2.7
Microchip Technology
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel