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Microsemi Corporation APTMC120HR11CT3AG

Numero parte MFG
APTMC120HR11CT3AG
quantità disponibile
76090 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- POWER MODULE - SIC MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore APTMC120HR11CT3AG
Numero di parte futuro FT-APTMC120HR11CT3AG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTMC120HR11CT3AG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 1000V
Potenza - Max 125W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120HR11CT3AG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTMC120HR11CT3AG-FT

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