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Microsemi Corporation APTM120H29FG

Name: APTM120H29FG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120H29FG
Price: 179.90104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (353 reviews)

Numero parte MFG: APTM120H29FG

quantità disponibile: 34520 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 179.90104

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 7® MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTM120H29FG.pdf

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APTM120H29FG specificazioni

codice articolo del costruttore	APTM120H29FG
Numero di parte futuro	FT-APTM120H29FG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APTM120H29FG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	374nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Potenza - Max	780W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP6
Pacchetto dispositivo fornitore	SP6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120H29FG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTM120H29FG-FT

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