casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APTM10SKM02G
codice articolo del costruttore | APTM10SKM02G |
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Numero di parte futuro | FT-APTM10SKM02G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10SKM02G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 495A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Pacchetto / caso | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10SKM02G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM10SKM02G-FT |
SQM200N04-1M1L_GE3
Vishay Siliconix
SQM200N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQM40081EL_GE3
Vishay Siliconix
STP45N60DM6
STMicroelectronics
STW45N60DM6
STMicroelectronics
BSC010N04LSCATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSTATMA1
Infineon Technologies
NVMTS0D4N04CLTXG
ON Semiconductor
NVMTS0D6N04CTXG
ON Semiconductor
SIHB120N60E-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel