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APTM10DDAM19T3G Image

Microsemi Corporation APTM10DDAM19T3G

Numero parte MFG
APTM10DDAM19T3G
quantità disponibile
69340 pezzi
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APTM10DDAM19T3G specificazioni

codice articolo del costruttore APTM10DDAM19T3G
Numero di parte futuro FT-APTM10DDAM19T3G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM10DDAM19T3G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V
Potenza - Max 208W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10DDAM19T3G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM10DDAM19T3G-FT

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