casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / APTM10DDAM09T3G
codice articolo del costruttore | APTM10DDAM09T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTM10DDAM09T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTM10DDAM09T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 139A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Potenza - Max | 390W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10DDAM09T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTM10DDAM09T3G-FT |
SSM6P35AFE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P35AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
MTM763250LBF
Panasonic Electronic Components
DMN1023UCB4-7
Diodes Incorporated
SLA5096
Sanken
SMA5112
Sanken
SMA5127
Sanken
STZD3155CT1G
ON Semiconductor
FDMA1023PZ-F106
ON Semiconductor
VEC2415-TL-W-Z
ON Semiconductor
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
Intel
EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
Intel
EP2AGX65DF29I3
Intel