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Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G
- Numero parte MFG
- APTM100VDA35T3G
- quantità disponibile
- 26110 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- POWER MOS 7® MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- APTM100VDA35T3G.pdf
APTM100VDA35T3G specificazioni
| codice articolo del costruttore | APTM100VDA35T3G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-APTM100VDA35T3G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | POWER MOS 7® |
| APTM100VDA35T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Potenza - Max | 390W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTM100VDA35T3G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | APTM100VDA35T3G-FT |
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