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Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G

Name: APTM100VDA35T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM100VDA35T3G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (784 reviews)

Numero parte MFG: APTM100VDA35T3G

quantità disponibile: 26110 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 7® MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTM100VDA35T3G.pdf

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APTM100VDA35T3G specificazioni

codice articolo del costruttore	APTM100VDA35T3G
Numero di parte futuro	FT-APTM100VDA35T3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APTM100VDA35T3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Potenza - Max	390W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100VDA35T3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTM100VDA35T3G-FT

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