casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT150DA170D1G
codice articolo del costruttore | APTGT150DA170D1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT150DA170D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT150DA170D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 280A |
Potenza - Max | 780W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 4mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT150DA170D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT150DA170D1G-FT |
APTGF165SK60D1G
Microsemi Corporation
APTGF180A60TG
Microsemi Corporation
APTGF180DA60TG
Microsemi Corporation
APTGF180DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF180SK60TG
Microsemi Corporation
APTGF200A120D3G
Microsemi Corporation
APTGF200DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGF200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGF200U120DG
Microsemi Corporation
APTGF250A60D3G
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel