casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT40GP90BG
codice articolo del costruttore | APT40GP90BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT40GP90BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT40GP90BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 543W |
Cambiare energia | 825µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 145nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 16ns/75ns |
Condizione di test | 600V, 40A, 5 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT40GP90BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT40GP90BG-FT |
RGTV60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RJP4009ANS-01#Q6
Renesas Electronics America
RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
A54SX32A-1TQG144M
Microsemi Corporation
LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
Intel
EP3C16E144C7
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
EP4SE530H40C2
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXMA4K3F35I3N
Intel