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Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G
- Numero parte MFG
- APT25GP120BDQ1G
- quantità disponibile
- 51480 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 10.952
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- POWER MOS 7® IGBT 1200V 69A 417W TO247
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- APT25GP120BDQ1G.pdf
APT25GP120BDQ1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | APT25GP120BDQ1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-APT25GP120BDQ1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | POWER MOS 7® |
| APT25GP120BDQ1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 69A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 417W |
| Cambiare energia | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 110nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 12ns/70ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APT25GP120BDQ1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | APT25GP120BDQ1G-FT |
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