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Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G

Name: APT25GP120BDQ1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT25GP120BDQ1G
Price: 10.952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (544 reviews)

Numero parte MFG: APT25GP120BDQ1G

quantità disponibile: 51480 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 10.952

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 7® IGBT 1200V 69A 417W TO247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT25GP120BDQ1G.pdf

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APT25GP120BDQ1G specificazioni

codice articolo del costruttore	APT25GP120BDQ1G
Numero di parte futuro	FT-APT25GP120BDQ1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APT25GP120BDQ1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	69A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 25A
Potenza - Max	417W
Cambiare energia	500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	110nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	12ns/70ns
Condizione di test	600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247 [B]
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT25GP120BDQ1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT25GP120BDQ1G-FT

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