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Microsemi Corporation APT22F120B2

Name: APT22F120B2
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT22F120B2
Availability: InStock
Rating: 4.7 (117 reviews)

Numero parte MFG: APT22F120B2

quantità disponibile: 29590 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT22F120B2.pdf

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APT22F120B2 specificazioni

codice articolo del costruttore	APT22F120B2
Numero di parte futuro	FT-APT22F120B2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APT22F120B2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8370pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1040W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	T-MAX™ [B2]
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT22F120B2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT22F120B2-FT

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