casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT15GT60BRDQ1G
codice articolo del costruttore | APT15GT60BRDQ1G |
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Numero di parte futuro | FT-APT15GT60BRDQ1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT15GT60BRDQ1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 42A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 184W |
Cambiare energia | 150µJ (on), 215µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 75nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 6ns/105ns |
Condizione di test | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GT60BRDQ1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT15GT60BRDQ1G-FT |
RGW80TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RJP4009ANS-01#Q6
Renesas Electronics America
RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025T-VFG256I
Microsemi Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP3C55F484C6
Intel
EPF10K100EFC484-3N
Intel
5SGSED8K1F40C2LN
Intel
LFEC6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35I3N
Intel