casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / APT15GP90BG
codice articolo del costruttore | APT15GP90BG |
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Numero di parte futuro | FT-APT15GP90BG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT15GP90BG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 43A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 250W |
Cambiare energia | 200µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 60nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9ns/33ns |
Condizione di test | 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GP90BG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT15GP90BG-FT |
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T46DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor
GPA040A120L-FD
Global Power Technologies Group
GPA040A120L-ND
Global Power Technologies Group
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50-5FGG256I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CX150YF672I5G
Intel
A3P125-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C6
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel