casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT150GT120JR
codice articolo del costruttore | APT150GT120JR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT150GT120JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT150GT120JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 170A |
Potenza - Max | 830W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 150µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT150GT120JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT150GT120JR-FT |
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG400C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
5CEBA2F17C8N
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation