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codice articolo del costruttore | APT150GT120JR |
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Numero di parte futuro | FT-APT150GT120JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT150GT120JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 170A |
Potenza - Max | 830W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 150µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT150GT120JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT150GT120JR-FT |
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT150A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel