casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / APT13003DZTR-G1
codice articolo del costruttore | APT13003DZTR-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-APT13003DZTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT13003DZTR-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 250mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1.1W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13003DZTR-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT13003DZTR-G1-FT |
FMMT549ATC
Diodes Incorporated
FMMT549TC
Diodes Incorporated
FMMT551TC
Diodes Incorporated
FMMT558TC
Diodes Incorporated
FMMT589TC
Diodes Incorporated
FMMT591TC
Diodes Incorporated
FMMT596TC
Diodes Incorporated
FMMT597TC
Diodes Incorporated
FMMT618TC
Diodes Incorporated
FMMT620TC
Diodes Incorporated
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel