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Microsemi Corporation APT11GP60BDQBG

Name: APT11GP60BDQBG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT11GP60BDQBG
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

Numero parte MFG: APT11GP60BDQBG

quantità disponibile: 30200 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: POWER MOS 7® IGBT 600V 41A 187W TO247

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APT11GP60BDQBG.pdf

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APT11GP60BDQBG specificazioni

codice articolo del costruttore	APT11GP60BDQBG
Numero di parte futuro	FT-APT11GP60BDQBG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APT11GP60BDQBG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo IGBT	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	41A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 11A
Potenza - Max	187W
Cambiare energia	46µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	40nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	7ns/29ns
Condizione di test	400V, 11A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT11GP60BDQBG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APT11GP60BDQBG-FT

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